MOSFET

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IXTH20N60 POWER MOSFET 20AMPER 600V
IXTH20N60 POWER MOSFET 20AMPER 600V
IXTH20N60 POWER MOSFET 20AMPER 600V IXXYS ENCAPSULAMENTO TO247
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IXFX50N50 POWER MOSFET 50AMPER 500V
IXFX50N50 POWER MOSFET 50AMPER 500V IXXYS ENCAPSULAMENTO TO247
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MPF960 TRANSISTOR MOSFET
MPF960 Polaridade do transistor : N-Channel Fonte de dreno da Tensão de ruptura : 60 V Porta-Tensão de ruptura : + / - 20 V Corrente de dreno contínua : 2 A Fonte de dreno da resistência RDS (on) : 1,7 Ohms Temperatura máxima de operação : + 150 C Transdutância em avanço gFS (Max / Min) : 0.38 S Temperatura mínima de operação : - 55 C Dissipação de energia : 1 W
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FQP50N06 MOSFET TO-220 N-CH 60V 50A
FQP50N06 Polaridade do transistor : N-Channel Fonte de dreno da Tensão de ruptura : 60 V Porta-Tensão de ruptura : + / - 25 V Corrente de dreno contínua : 50 A Fonte de dreno da resistência RDS (on) : 0,022 Ohms Temperatura máxima de operação : + 175 C Tempo de queda : 65 ns Transdutância em avanço gFS (Max / Min) : 22 S Temperatura mínima de operação : - 55 C Dissipação de energia : 120 W Tempo de ascensão : 105 ns
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BUZ72A MOSFET CANAL N 10AMPER 100V
BUZ72A MOSFET CANAL N 10AMPER 100V .100 Ohm, N-Channel Power MOSFET This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA9770. Features • 14A, 50V • rDS(ON) = 0.100W • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Majority Carrier Device • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards” Symbol Packaging JEDEC TO-220AB Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND
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IRF230 9A 200V MOSFET Power Transistor
IRF230 9A 200V MOSFET Power Transistor Corrente de dreno contínua: 9A (ID = VGS @ 10V, CT = 25 ° C) Corrente de dreno contínua 6A (ID @ VGS = 10V, TC = 100 ° C) Pulsada Corrente de dreno: 36A Max. Dissipação de energia: 75W Porta-a-Fonte de tensão: ± 20V Repetitivo Avalanche Energia: 7.5mJ Peak diodo da recuperaà dv / dt: 5V/ns Junção e Armazenamento Temperatura de Operação: -55 ° C a 150 ° C Temperatura chumbo (1,6 mm de caso, 10 seg): 300 ° C
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IRG4PC50UD IGBT 600V 27AMPER1.65 VCE
G4PC50UD IGBT 600V 27AMPER 2.3 VCE TRANSISTOR IGBT DISCRETO FAMILIA G4BC G4PC G4PF G4PH ETC MATERIAL DISPONIVEL PARA ENTREGA 1 DIA UTIL
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IRG4BC40UP IGBT 600V 20AMPER 1.72 VCE
G4BC40UP IGBT 600V 20AMPER 1.71 VCE TRANSISTOR IGBT DISCRETO FAMILIA G4BC G4PC G4PF G4PH ETC MATERIAL DISPONIVEL PARA ENTREGA 1 DIA UTIL
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IRGPS60B120KD IGBT 1200V 60A 2.5VCE
IRGPS60B120KD IGBT 1200V 60A 2.5VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247 A TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 1200V VCE (ON) TYP: 2.5V @ VGE: 15V IC: 60A LEAD FREE
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IRGP50B60PD IGBT 600V 33A 2VCE
GP50B60PD IGBT 600V 33A 2VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247 AC TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 2V @ VGE: 15V IC: 33A LEAD FREE
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IRGP50B60PD1 IGBT 600V 33A 2VCE
GP50B60PD1 IGBT 600V 33A 2VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247 AC TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 2V @ VGE: 15V IC: 33A LEAD FREE
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IRGP4068D IGBT 600V 48A 1.65VCE
IRGB4068D IGBT 600V 48A 1.65VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247 AC TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 1.65V @ VGE: 15V IC: 48A LEAD FREE
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IRGB4063D IGBT 600V 48A 1.65VCE
IRGB4063D IGBT 600V 48A 1.65VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247 AB TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 1.65V @ VGE: 15V IC: 48A LEAD FREE
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IRGP35B60PD IGBT 600V 22A 1.85VCE
IRGP35B60PD IGBT COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247 ACTOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 1.85V @ VGE: 15V IC: 22A LEAD FREE
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IRGP30B60KD IGBT 600V 30A 1.95VCE
IRGP30B60KD DISCRETE IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247AD TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 1.95V @ VGE: 20V IC: 30A LEAD FREE
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IRGB20B60PD IGBT 600V 13A 2.05VCE
IRGB20B60PD IGBT 600V 13A 2.05VCE
IRGB20B60PD IGBT 600V 13A 2.05VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-247 AB TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 2;05V @ VGE: 16V IC: 13A LEAD FREE
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IRGP30B120KD IGBT 600V 13A 2.05VCE
IRGP30B120KD COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: T0-247 AD TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 1200V VCE (ON) TYP: 2.28V @ VGE: 15V IC: 25A LEAD FREE
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IRGB4B60KD IGBT 600V 7.6AMPER 2.1 VCE
COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-220 AB TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 2.10 LEAD FREE IRGB4B60KD IGBT 600V 7.6AMPER 2.1 VCE TRANSISTOR IGBT DISCRETO FAMILIA G4BC G4PC G4PF G4PH ETC MATERIAL DISPONIVEL PARA ENTREGA 1 DIA UTIL
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IRGB4062D IGBT 600V 24A 1.65VCE
IRGB4062D IGBT 600V 24A 1.65VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-220 AB TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 1.65V @ VGE: 15V IC: 24A LEAD FREE
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IRGB15B60KD IGBT 600V 15A 1.8VCE
IRGB15B60KD IGBT 600V 15A 1.8VCE COPACK IGBT ENCAPSULAMENTO: TO-220 AB TOPOLOGIA: N-CHANNEL VCES: 600V VCE (ON) TYP: 1.8V @ VGE: 15V IC: 15A LEAD FREE
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