R$ 6,00
FQP50N06
Polaridade do transistor : N-Channel
Fonte de dreno da Tensão de ruptura : 60 V
Porta-Tensão de ruptura : + / – 25 V
Corrente de dreno contínua : 50 A
Fonte de dreno da resistência RDS (on) : 0,022 Ohms
Temperatura máxima de operação : + 175 C
Tempo de queda : 65 ns
Transdutância em avanço gFS (Max / Min) : 22 S
Temperatura mínima de operação : – 55 C
Dissipação de energia : 120 W
Tempo de ascensão : 105 ns
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FQP50N06 TRANSISTOR
Polaridade do transistor : N-Channel
Fonte de dreno da Tensão de ruptura : 60 V
Porta-Tensão de ruptura : + / – 25 V
Corrente de dreno contínua : 50 A
Fonte de dreno da resistência RDS (on) : 0,022 Ohms
Temperatura máxima de operação : + 175 C
Tempo de queda : 65 ns
Transdutância em avanço gFS (Max / Min) : 22 S
Temperatura mínima de operação : – 55 C
Dissipação de energia : 120 W
Tempo de ascensão : 105 ns
| Peso | 0,0050 g |
|---|---|
| Dimensões | 16 × 11 × 2 mm |
