R$ 2,50
MPF960
Polaridade do transistor : N-Channel
Fonte de dreno da Tensão de ruptura : 60 V
Porta-Tensão de ruptura : + / – 20 V
Corrente de dreno contínua : 2 A
Fonte de dreno da resistência RDS (on) : 1,7 Ohms
Temperatura máxima de operação : + 150 C
Transdutância em avanço gFS (Max / Min) : 0.38 S
Temperatura mínima de operação : – 55 C
Dissipação de energia : 1 W
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MPF960
Polaridade do transistor : N-Channel
Fonte de dreno da Tensão de ruptura : 60 V
Porta-Tensão de ruptura : + / – 20 V
Corrente de dreno contínua : 2 A
Fonte de dreno da resistência RDS (on) : 1,7 Ohms
Temperatura máxima de operação : + 150 C
Transdutância em avanço gFS (Max / Min) : 0.38 S
Temperatura mínima de operação : – 55 C
Dissipação de energia : 1 W
| Peso | 0,0050 g |
|---|---|
| Dimensões | 16 × 11 × 2 mm |
