Descrição
Tipo FET: MOSFET
Polaridade transistor: N
ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS
Dissipação total do dispositivo (Pd): 300 W
de tensão da fonte de drenagem Vds|: 150 V
de tensão de fonte de portão Vgs|: 30 V
Corrente de drenagem direta | Id|: 56 A
Temperatura máxima de funcionamento (Tj): 175 °C
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