Descrição
Transistor Mosfet FQP4N90 Canal N 900V 3,5AMP 45W
Descrição:
Designador de tipo: FQP4N90
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de controle: N -Canal
Pd(i) – Dissipação máxima de energia: 140 W
|Vds|(i) – Tensão máxima da fonte de drenagem: 900 V
|Vgs|(i) – Tensão máxima da fonte de porta: 30 V
|Vgs(th)|(i) – Tensão máxima do limiar da porta: 5 V
|Identificação|(i) – Corrente máxima de drenagem: 4,2 Um
Tj(i) – Temperatura máxima de junção: 150 °C
Qg(i) – Carga total do portão: 24 Nc
tr(i) – Tempo de subida: 70 Ns
Coss(i) – Capacitância de saída: 90 Pf
Rds(i) – Resistência máxima no estado da fonte de drenagem: 3,3 Ohm
