Descrição
Transistor de potência de efeito de campo em modo de aprimoramento de canal N em um envelope plástico usando tecnologia ‘trincheira’.
CARACTERÍSTICAS
• Tecnologia ‘Trench’
• Baixa resistência em estado ligado
• Comutação rápida
• Baixa resistência térmica
Aplicações:-
• conversores dc para dc
• fontes de alimentação comutadas • fontes de alimentação para
monitores de TV e computador.
VDSS = 100 V
ID = 23 A
RDS(ON) ≤ 77 mΩ
https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/17799/PHILIPS/IRF540.html
