Transistor 2SB778 – Isolado

Descrição

Especificações:

Modelo: Bipolar de Junção

Designador de tipo: 2SB778

Material do transistor: Si

Polaridade: PNP

Dissipação máxima de potência do coletor (Pc): 80 W

Tensão máxima da base do coletor |Vcb|: 120 V

Tensão Máxima Coletor-Emissor |Vce|: 120 V

Tensão máxima da base do emissor |Veb|: 5 V

Corrente máxima do coletor |Ic max|: 10 A

Máx. Temperatura operacional da junção (Tj): 150 °C

Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 60

Figura de ruído, dB: –