Descrição
Os MOSFETs podem ser de canal N ou canal P, sendo análogos aos bipolares NPN e PNP. Eles geralmente têm três terminais: porta (gate), dreno (drain) e fonte (source).
Destinatário:
Designador de tipo: STP6NA80
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de controle: N -Canal
Pd(i) – Dissipação máxima de energia: 125 W
|Vds|(i) – Tensão máxima da fonte de drenagem: 800 V
|Vgs|(i) – Tensão máxima da fonte de porta: 30 V
|Vgs(th)|(i) – Tensão máxima do limiar da porta: 3,75 V
|Identificação|(i) – Corrente máxima de drenagem: 5,7 Um
Tj(i) – Temperatura máxima de junção: 150 °C
Qg(i) – Carga total do portão: 58 Nc
tr(i) – Tempo de subida: 95 Ns
Coss(i) – Capacitância de saída: 160 Pf
