Descrição
Características
● 10 A, 120 V e 150 V
● rDS(on) = 0,3Ω
● SOA tem dissipação de energia limitada
● Velocidades de comutação em nanossegundos
● Características de transferência linear
● Alta impedância de entrada
● Dispositivo portador majoritário
Designador de tipo: RFP10N15
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de controle: N -Canal
Dissipação máxima de potência (Pd): 60 W
Tensão máxima da fonte de drenagem |Vds|: 150 V
Tensão Máxima Porta-Fonte |Vgs|: 20 V
Tensão Máxima do Limite de Porta |Vgs(th)|: 4 V
Corrente máxima de drenagem |Id|: 10 A
Temperatura máxima de junção (Tj): 150 °C
Tempo de subida (tr): 165 nS
Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 230 pF
Resistência máxima no estado da fonte de drenagem (Rds): 0,3 Ohm
