Descrição
Transistor de efeito de campo de potência.
“PRÉ CORTADO”
Descrição:
MTM2N50
Transistor: MOSFET
Controle Canal: N
Dissipação de potência máxima: 75 W
Tensão máxima dreno-fonte: 500 V
Tensão máxima porta-fonte: 20 V
Tensão máxima porta-limiar: 4,5 V
Corrente de dreno máxima: 2 A
Temperatura máxima da junção: 150 °C
Carga total da porta: 17 nC
Tempo de subida: 60 nS
Capacitância de saída: 100 pF
Resistência máxima no estado ligado da fonte-dreno: 4 Ohm
