Descrição
CARACTERÍSTICAS:
• Baixo RDS(on)
• Maior robustez indutiva
• Tempos de comutação Fsat
• Estrutura de célula de porta de polissilício robusta
• Baixa capacitância de entrada
• Área de operação segura estendida
• Confiabilidade melhorada em altas temperaturas
https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/37040/SAMSUNG/IRF9540.html
