Descrição
TRANSISTOR IRF730
MOSFET CANAL N HEXFET POWER
ENCAPSULAMENTO TO220
Back to MOSFET
IRF730
R$ 3,00
TRANSISTOR IRF730
MOSFET CANAL N HEXFET POWER
ENCAPSULAMENTO TO220
100 em estoque
Simulação de frete
Informação adicional
| Peso | 0,0050 g |
|---|---|
| Dimensões | 16 × 11 × 2 mm |
Produtos relacionados
2sk1940 MOSFTE NPN 600V 12A
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
2SK1940-01. N-channel MOS-FET. FAP-IIA Series. 600V 0,75Ω 12A 125W. > Features. > Outline Drawing. - High Speed Switching. - Low On-Resistance ...MOSFET CANAL VGDS600 VGDR600V ID12A IDP48A
2SK1359 TOP264 N VDSS1000 VGDR1000 ID5A IDP15A PT150W RDS3.ONHS
TRANSISTOR TOSHIBA TOP264 MOSFET CANAL N
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO CANAL N MOS
2SK1359 TOP264 N VDSS1000 VGDR1000 ID5A IDP15A PT150W RDS3.ONHS
2SK2545 MOSFET CANAL N 600V 6AMP 60W
TRANSISTOR 2SK2545
MOSFET CANAL N 600V 6AMP 60W
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
ENCAPSULAMENTO TO220ISO
2SK1356 MOSFET CANAL N 900V 3AMP 125W DC-DC
TRANSISTOR 2SK1356
MOSFET CANAL N 900V 3AMP 125W DC-DC
ENCAPSULAMENTO TO220 ISOLADO