Descrição
Transistor 2SC2298 Amplificador de Ganho
NPN Aplicação epitaxial Amplificador de alto ganho Contorno TO-126 MOD 1 2 Classificações máximas absolutas (Ta = 25°C) Item Símbolo VCBO VCEO VEBO IC IC(pico) PC PC* Temperatura de junção Temperatura de armazenamento.
Características
Designador de tipo: 2SC2298
Material do Transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 8 W
Tensão Máxima da Base do Coletor |Vcb|: 30 V
Tensão Máxima Coletor-Emissor |Vce|: 30 V
Tensão Base-Emissor Máxima |Veb|: 10 V
Corrente Máxima do Coletor |Ic máx|: 1 A
máx. Temperatura da Junção de Operação (Tj): 150 °C
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 5000
Pacote: TO126
