Descrição
O 2N2369 é um transistor NPN epitaxial planar de silício em caixa de metal JedecTO-18. Ele foi projetado especificamente para aplicações de comutação saturada de alta velocidade em níveis de corrente de 100 µA a 100 mA.
Especificações:
Designador de tipo: 2N2369
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de potência do coletor (Pc): 0,36 W
Tensão máxima da base do coletor |Vcb|: 40 V
Tensão máxima coletor-emissor |Vce|: 15 V
Tensão máxima da base do emissor |Veb|: 4 V
Corrente máxima do coletor |Ic max|: 0,2 A
Máx. Temperatura operacional da junção (Tj): 200 °C
Frequência de transição (pés): 500 MHz
Capacitância do Coletor (Cc): 4 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 40.
