Descrição
Os UTC 12N60 são transistores de efeito de campo de potência (MOSFET) de modo de aprimoramento de canal N que são produzidos usando a tecnologia DMOS de faixa planar proprietária da UTC.
Esses dispositivos são adequados para fonte de alimentação comutada de alta eficiência. Para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia nos modos de avalanche e comutação, a tecnologia avançada foi especialmente adaptada.
Especificações:
* RDS (ON) = 0,8Ω @VGS = 10 V
* Carga de porta ultrabaixa (típico 42 nC)
* Baixa capacitância de transferência reversa (CRSS = típico 25 pF)
* Capacidade de comutação rápida
* Energia de avalanche especificada
* Melhor dv/dt capacidade, alta robustez