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2SC3271 NPN TO126 300V 0,1AMPER 10W VIDEO
TRANSISTOR 2SC3271 VIDEO L 2SC3271NPN TO126 300V 0,1AMPER 10W VIDEO
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2SD401A NPN 2AMPER 20W 200V 150VCB
2SD401A NPN 2AMPER 20W 200V 150VCB ENCAPSULAMENTO TO220 PAR COMPLEMENTAR 2SB546
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TRANSISTOR 2SD1879
TRANSISTOR 2SD1879 A estrutura do transistor: NPN Limite a dissipação de potência constante Collector (Pc): 60 Limitando constante tensão coletor-base (Ucb): 1500 Limitação da tensão coletor-emissor constante (Uce): 800 Limitando constante tensão base-emissor (Ueb): 6 Limitação de corrente contínua de coletor do transistor (Ic max): 6 Limite de temperatura da junção pn (Tj): 150 freqüência de corte rácio de transferência de corrente (Ft): Collector capacitância de junção (Cc), Pf: coeficiente de transferência de corrente no emissor comum (Hfe), min/max: 8
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2SC1472 TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL
2SC1472 Collector à base de tensão VCBO 40 V Coletor para emissor tensão VCEO 30 V Emissor para a base de tensão VEBO 10 V Coletor de corrente IC 300 mA Collector pico de corrente iC (pico) de 500 mA Collector poder dissipação PC500 mW Junção temperatura Tj 150 ° C A temperatura de armazenamento Tstg -55 a 150 ° C
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2SC1890 TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL
2SC1890 Collector à base de tensão VCBO 90 120 V Coletor para emissor tensão VCEO 90 120 V Emissor para a base VEBO tensão 55V Coletor de corrente de 50 mA IC50 Collector poder dissipação PC300 300 mW Junção de temperatura Tj 150 150 ° C A temperatura de armazenamento Tstg -55 a 150 -55 a 150 ° C
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2SC1449 TRANSISTOR SI NPN
2SC1449 Dissipação máxima de coletor de energia (Pc), W: 5 Máxima coletor-base de tensão | UCB |, V: 40 Máxima tensão coletor-emissor |​​ Uce |, V: 3 Máxima emissor-base de tensão | Ueb |, V 5 Coletor de corrente máxima | Ic max |, A: 2 A temperatura máxima da junção (Tj), ° C: 150 Freqüência de transição (ft), MHz: 30
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2SD1678 TRANSISTOR NPN
2S1678 Transistor NPN (65V, 3A, 3W, TO-220)
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2SC1775 TRANSISTOR NPN EPITAXIAL
2SC1775 Collector à base de tensão VCBO 90 120 V Coletor para emissor tensão VCEO 90 120 V Emissor para a base VEBO tensão 55V Coletor de corrente IC 50 50 mA Collector poder dissipação PC 300 300 mW Junção de temperatura Tj 150 150 ° C A temperatura de armazenamento Tstg -55 a 150 -50 a 150 ° C
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2SC1856 TRANSISTOR SI NPN
2SC1856 Dispositivo de dissipação total (Pc) 0,25 Tensão coletor-base (UCB): 20 Tensão coletor-emissor (UCE): 0 Tensão emissor-base (Ueb): 3 DC máxima de corrente do coletor (Ic) 0,02 Temperatura máxima de operação (Tj), ° C: 175
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2SC1827 TRANSISTOR NPN EPITAXIAL
2SC1827 Corte de corrente do coletor VCB = 80V, IE = 0   Emitter Cutoff atual VEB = 5V, IC = 0   DC ganho atual VCE = 4V, IC = 1A   Coletor-emissor de tensão IC = 3A, IB = 0.3A   Current Gain Bandwidth produtos VCE = 2V, IC = 0,5
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2SC1624 TRANSISTOR
2SC1624 Coletor-emissor Volt (VCEO): 120V Coletor-Base Volt (VCBO): 120V Corrente do coletor (Ic): 1.0A hfe: 70-240 @ 150mA Dissipação de energia (Ptot): 15W Tipo: NPN
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2SC1447 TRANSISTOR
2SC1447 Coletor-base de tensão Aberto emissor 300V Coletor-emissor tensão Abrir base de 300 V Emissor-base tensão coletor aberto 7 V Coletor de corrente 0.15 A Coletor de dissipação de energia TC = 25? 20 W Temperatura de armazenamento -55 ~ 150
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2SD1765 NPN 100V 2A DARLINGTON/RESISTOR
2SD1765 Coletor-base de tensão aberta emissor 100 V Coletor-emissor tensão aberta base 100 V Abra o coletor emissor-base de tensão 6 V Coletor de corrente 2 A Coletor de corrente de pico 3 A Temperatura da junção 150 Temperatura de armazenamento -55 ~ 150
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2SD2137 NPN 60V 5A 15W
2SD2137 Coletor para a base VCBO tensão 60V Coletor VCEO 60 V tensão do emissor Emissor para a base de tensão VEBO 6 V Peak coletor de corrente ICP 5 A Coletor de corrente IC 3 A Coletor de energia TC = 25 ° C PC 15 W dissipação Ta = 25 ° C 2 Temperatura da junção Tj150 ° C A temperatura de armazenamento Tstg -55 a 150 ° C
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2SC143 TRANSISTOR SI NPN
2SC143 Limite a dissipação de potência constante Collector (Pc): 0.36 Limitando constante tensão coletor-base (Ucb): 40 Limitação da tensão coletor-emissor constante (Uce): 0 Limitando constante tensão base-emissor (Ueb): 5 Limitação de corrente contínua de coletor do transistor (Ic max): 0.2 Limite de temperatura da junção pn (Tj): 175 freqüência de corte rácio de transferência de corrente (Ft): 225 Collector capacitância de junção (Cc), Pf:
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2SC4430 POWER TRANSISTOR NPN
2SC4430 Coletor-base Voltage Open emitter 1100 V Collector-emitter Voltage Open base 800 V Emitter-base Voltage Open Collector 7 V Collector current 12 A Collector current-peak 30 A Base current 6 A Collector power dissipation TC = 25 ℃ 3-63W Junction Temperature 150 ℃ Storage Temperature -55 ~ 150 ℃
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2SC4288A TRANSISTOR BIPOLAR NPN
2SC4288A Dissipação máxima de coletor de energia (Pc), W: 200 Máxima coletor-base de tensão | UCB |, V: 1400 Máxima tensão coletor-emissor |​​ Uce |, V: 600 Máxima emissor-base de tensão | Ueb |, V: 5 Coletor de corrente máxima | Ic max |, A: 12 A temperatura máxima da junção (Tj), ° C: 175 Freqüência de transição (ft), MHz: 10 Collector capacitância (Cc), pF: 350
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2SC4297 TRANSISTOR PLANAR DIFUNDIDO TRIPLO
2SC4297 TRANSISTOR NPN transistor bipolar, 500/400V, 12A, 75W, 10MHz, 0.5us, TO-247F
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